سایپرز، باشگاه دانش - ارائه دهنده مقالات ژورنالهای خارجی

اطلاعات و مشخصات مقاله

[ 188 | جستجو | فهرست کلمات کلیدی | فهرست موضوعات | فهرست نویسندگان | فهرست ناشران | فهرست ژورنالها ]


عنوان مقاله:تحلیل گرانول Monetite در نقص استخوان آلوئول در بیماران انسانی
ناشر: [ Elsevier BV ]
ژورنال
دوره (شماره): (0)
سال انتشار:September 2015
شماره صفحات: 418432418-432
نشانگر دیجیتالی شیء:[ 10.1016/j.spmi.2015.06.010 ]
شما اینجا هستید:
  1. Scipers, the Knowledge ClubScipers »
  2. Elsevier BV »
  3. Superlattices And Microstructures »
  4. Numerical modeling on the optical characteristics of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET

دسترسی بین المللی

اگر شما در داخل کشور (ایران) هستید و این صفحه را مشاهده می کنید، نشان می دهد که IP شما به هر دلیلی در لیست IP های ایران ثبت نشده است. برای رفع این مشکل کافی است IP خود را که در پایین این پیام درج شده از طریق آدرس ایمیل support@scipers.com به ما اطلاع دهید. پس از دریافت درخواست، کارشناسان فنی موضوع را بررسی می نمایند و در صورتی که محل اتصال شما از کشور ایران بوده باشد، به لیست استفاده کنندگان مجاز افزوده می شوید.
IP: 34.230.84.215

اطلاعات استنادی

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

 

به اشتراک گذاری

این صفحه را با استفاده از انواع شبکه های اجتماعی با دوستان خود به اشتراک بگذارید.

خلاصه مقاله، نویسندگان و کلمات کلیدی

Numerical Modeling On The Optical Characteristics Of Triple Material Gate Stack Gate All-around (TMGSGAA) MOSFET


مقاله: تحلیل گرانول monetite در نقص استخوان آلوئول در بیماران انسانی

نويسند‌گان:


خلاصه مقاله:


In this paper, 2D numerical modeling on the optical characteristics of a triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET has been developed and presented. The device characteristics under illumination are obtained from the self-consistent solution of 2D Poisson–Schrödinger equation using Liebmann’s iteration method. The drain and transfer characteristics, electric field, transconductance, photocurrent, photocurrent gain and responsivity of the device have been estimated. The effect of different high-k materials on the device characteristics under illumination has also been discussed. The numerical results are validated with ATLAS TCAD simulation results of the device under dark condition. The model is purely a physics based one and overcomes the major limitations of the existing models by providing more accurate results.


در این مقاله، مدل سازی عددی 2D بر ویژگی های نوری از دروازه دروازه پشته مواد سه گانه تمام اطراف (TMGSGAA) MOSFET توسعه داده شده است و ارائه شده است. ویژگی های دستگاه تحت نور از راه حل خودسازگار معادله پواسون 2D-شرودینگر با استفاده از روش تکرار لیبمان به دست آمده. تخلیه و انتقال ویژگی ها، میدان الکتریکی، transconductance، از فوتون، افزایش از فوتون و responsivity از دستگاه برآورد شده است. اثر مواد مختلف با K بالا بر ویژگی های دستگاه تحت نور نیز مطرح شده است. نتایج عددی با ATLAS نتایج شبیه سازی TCAD از دستگاه در شرایط تاریک معتبر. مدل صرفا یک مبتنی بر فیزیک و غلبه بر محدودیت های عمده ای از مدل های موجود با ارائه نتایج دقیق تر.


كلمات كليدي:

Gate all-around MOSFET, Gate engineering, Optical effects, Quantum mechanical effects, Schrödinger equation
گیت تمام اطراف MOSFET, دروازه مهندسی, جلوه های نوری, کوانتومی اثرات مکانیکی , معادله شرودینگر


موضوعات:

Electrical and Electronic Engineering, Materials Science(all), Condensed Matter Physics



[ ]

فهرست مقالات مرتبط و مشابه

  1. Padmanaban, B., Ramesh, R., Nirmal, D., Sathiyamoorthy, S. (2015) 'Numerical modeling of triple material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET considering quantum mechanical effects', Superlattices and Microstructures, Elsevier BV, pp:40-54
  2. Tamimi, Faleh, Torres, Jesus, Bassett, David, Barralet, Jake, Cabarcos, Enrique L. (2010) 'Resorption of monetite granules in alveolar bone defects in human patients', Biomaterials, Elsevier BV, pp:2762-2769
  3. Ramesh, R., Bhattacharyya, A. (2016) 'Modelling and simulation of tri-material gate stack gate all-around (TMGSGAA) MOSFET using Legendre Wavelets for analog/RF applications', Superlattices and Microstructures, Elsevier BV, pp:575-585
  4. Abdi, M. A. , Djeffal, F. , Arar, D. , Hafiane, M. L. (2007) 'Numerical analysis of Double Gate and Gate All Around MOSFETs with bulk trap states', J Mater Sci: Mater Electron, Springer Science + Business Media, pp:248-253
  5. Dubey, Sarvesh, Santra, Abirmoya, Saramekala, Gopikrishna, Kumar, Mirgender, Tiwari, Pramod Kumar (2013) 'An Analytical Threshold Voltage Model for Triple-Material Cylindrical Gate-All-Around (TM-CGAA) MOSFETs', IEEE Transactions on Nanotechnology, Institute of Electrical & Electronics Engineers (IEEE), pp:766-774
  6. Madheswaran, M., Ramesh, R., Kannan, K. (2016) 'Hot-carrier reliability on the optical characteristics of gate stack gate all-around (GSGAA) MOSFET considering quantum mechanical effects', Optik - International Journal for Light and Electron Optics, Elsevier BV, pp:2694-2702
  7. Gautam, Rajni, Saxena, Manoj, Gupta, R. S., Gupta, Mridula (2012) 'Numerical Model of Gate-All-Around MOSFET With Vacuum Gate Dielectric for Biomolecule Detection', IEEE Electron Device Lett., Institute of Electrical & Electronics Engineers (IEEE), pp:1756-1758
  8. , (2004) 'Modeling of Nanoscale Gate-All-Around MOSFETs', IEEE Electron Device Lett., Institute of Electrical & Electronics Engineers (IEEE), pp:314-316
  9. Rozeau, O., Martinie, S., Poiroux, T., Triozon, F., Barraud, S., Lacord, J., Niquet, Y. M., Tabone, C., Coquand, R., Augendre, E., Vinet, M., Faynot, O., Barbe, J.-Ch. (2016) 'NSP: Physical compact model for stacked-planar and vertical Gate-All-Around MOSFETs', 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0
  10. Jiménez, David, Iñíguez, Benjamí, Sáenz, Juan José, Suñé, Jordi, Marsal, Lluis Francesc, Pallarès, Josep 'Compact Model of the Nanoscale Gate-All-Around MOSFET', Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment, Springer-Verlag, pp:-

 

فهرست مراجع و منابع




 

برگشت به بالا
× 🎁
رونمایی از اولین و تنها ربات تلگرامی جستجوی مقالات ژورنالی
×