سایپرز، باشگاه دانش - ارائه دهنده مقالات ژورنالهای خارجی

اطلاعات و مشخصات مقاله

[ 61 | جستجو | فهرست کلمات کلیدی | فهرست موضوعات | فهرست نویسندگان | فهرست ناشران | فهرست ژورنالها ]


عنوان مقاله:فصل 1 FINFET-از مفهوم دستگاه به مدل جمع و جور استاندارد
ناشر: [ Elsevier BV ]
ژورنال
دوره (شماره): (0)
سال انتشار:2015
شماره صفحات: 1131-13
نشانگر دیجیتالی شیء:[ 10.1016/b978-0-12-420031-9.00001-4 ]
شما اینجا هستید:
  1. Scipers, the Knowledge ClubScipers »
  2. Elsevier BV »
  3. FinFET Modeling For IC Simulation And Design Using The BSIM-CMG Standard »
  4. Chapter 1 FinFET—From device concept to standard compact model

دسترسی بین المللی

اگر شما در داخل کشور (ایران) هستید و این صفحه را مشاهده می کنید، نشان می دهد که IP شما به هر دلیلی در لیست IP های ایران ثبت نشده است. برای رفع این مشکل کافی است IP خود را که در پایین این پیام درج شده از طریق آدرس ایمیل support@scipers.com به ما اطلاع دهید. پس از دریافت درخواست، کارشناسان فنی موضوع را بررسی می نمایند و در صورتی که محل اتصال شما از کشور ایران بوده باشد، به لیست استفاده کنندگان مجاز افزوده می شوید.
IP: 54.226.73.255

اطلاعات استنادی

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

 

به اشتراک گذاری

این صفحه را با استفاده از انواع شبکه های اجتماعی با دوستان خود به اشتراک بگذارید.

خلاصه مقاله، نویسندگان و کلمات کلیدی

Chapter 1 FinFET—From Device Concept To Standard Compact Model


مقاله: فصل 1 FINFET-از مفهوم دستگاه به مدل جمع و جور استاندارد

نويسنده:


خلاصه مقاله:


The limitation of conventional bulk MOSFET and its remedy using concept of thin-body transistor is discussed. The realization of this concept in the form of ultra-thin-body FET and FinFET is explained. The need of compact model to get first-time-right silicon and industry standard FinFET model “BSIM-CMG” is introduced.


محدودیت MOSFET فله معمولی و درمان با استفاده از مفهوم خود را از ترانزیستور نازک بدن مورد بحث است. تحقق این مفهوم در قالب FET نازک بدن و FINFET توضیح داده شده است. نیاز به مدل جمع و جور برای به دست آوردن سیلیکون برای اولین بار سمت راست و صنعت مدل FINFET استاندارد "BSIM-CMG" معرفی شده است.


كلمات كليدي:

Industry standard compact model , Short-channel effects, Subthreshold swing , Thin-body FET , Thin-body transistor , FinFET Thin-body FET Thin-body transistor Industry standard compact model Subthreshold swing Short-channel effects
صنعت استاندارد مدل جمع و جور , اثرات کانال کوتاه , نوسان زیرآستانه , FET نازک بدن , ترانزیستور نازک بدن , FINFET نازک بدن FET نازک بدن صنعت ترانزیستور مدل جمع و جور استاندارد زیرآستانه نوسان اثرات کوتاه کانال



[ ]

فهرست مقالات مرتبط و مشابه

  1. Khandelwal, Sourabh, Duarte, Juan P., Medury, Aditya, Chauhan, Y. S., Hu, Chenming (2015) 'New industry standard FinFET compact model for future technology nodes', 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0
  2. He, F, Xingye Zhou, , Chenyue Ma, , Jian Zhang, , Zhiwei Liu, , Wen Wu, , Xukai Zhang, , Lining Zhang, (2010) 'FinFET: From compact modeling to circuit performance', 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0
  3. Duarte, Juan P., Khandelwal, Sourabh, Medury, Aditya, Hu, Chenming, Kushwaha, Pragya, Agarwal, Harshit, Dasgupta, Avirup, Chauhan, Yogesh S. (2015) 'BSIM-CMG: Standard FinFET compact model for advanced circuit design', ESSCIRC Conference 2015 - 41st European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC), Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0
  4. Roushan, Abhishek Kumar, Chaubey, V.K. (2016) 'Compact modeling of a parabolic cross section nano-FinFET', 2016 3rd International Conference on Devices, Circuits and Systems (ICDCS), IEEE, pp:0-0
  5. Scholten, A.J., Smit, G.D.J., Pijper, R.M.T., Tiemeijer, L.F., Mercha, A., Klaassen, D.B.M. (2010) 'FinFET compact modelling for analogue and RF applications', 2010 International Electron Devices Meeting, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0
  6. Duarte, Juan Pablo, Paydavosi, Navid, Venugopalan, Sriramkumar, Sachid, Angada, Hu, Chenming (2013) 'Unified FinFET compact model: Modelling Trapezoidal Triple-Gate FinFETs', 2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0
  7. Parada, Marcelo G., Malheiro, Cristiano, Agopian, Paula G., Giacomini, Renato C. (2011) 'A Compact Model and an Extraction Method for the FinFET Spreading Resistance', ECS, pp:0-0
  8. Mingchun Tang, , Pregaldiny, Fabien, Lallement, Christophe, Sallese, Jean-Michel (2009) 'Quantum compact model for ultra-narrow body FinFET', 2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0
  9. Alvarado, J., Tinoco, J. C., Salas, S., Martinez-Lopez, A. G., Soto-Cruz, B. S., Cerdeira, A., Raskin, J. (2013) 'SOI FinFET compact model for RF circuits simulation', 2013 IEEE 13th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0
  10. Chen, David C., Lin, Guan Shyan, Lee, Tien Hua, Lee, Ryan, Liu, Y C, Wang, Meng Fan, Cheng, Yi Ching, Wu, D. Y. (2015) 'Compact modeling solution of layout dependent effect for FinFET technology', Proceedings of the 2015 International Conference on Microelectronic Test Structures, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0

 

برگشت به بالا
× 🎁
رونمایی از اولین و تنها ربات تلگرامی جستجوی مقالات ژورنالی
×