سایپرز، باشگاه دانش - ارائه دهنده مقالات ژورنالهای خارجی

اطلاعات و مشخصات مقاله

[ 23 | جستجو | فهرست کلمات کلیدی | فهرست موضوعات | فهرست نویسندگان | فهرست ناشران | فهرست ژورنالها ]


عنوان مقاله:مطالعه Dielectrophoretically تراز وسط قرار دارد گالیم نیترید نانوسیم در الکترودهای فلزی و خواص الکتریکی آنها
ناشر: [ Elsevier BV ]
ژورنال
دوره (شماره):427 (1-3)
سال انتشار:August 2006
شماره صفحات: 107112107-112
نشانگر دیجیتالی شیء:[ 10.1016/j.cplett.2006.05.133 ]
شما اینجا هستید:
  1. Scipers, the Knowledge ClubScipers »
  2. Elsevier BV »
  3. Chemical Physics Letters »
  4. A study of dielectrophoretically aligned gallium nitride nanowires in metal electrodes and their electrical properties

دسترسی بین المللی

اگر شما در داخل کشور (ایران) هستید و این صفحه را مشاهده می کنید، نشان می دهد که IP شما به هر دلیلی در لیست IP های ایران ثبت نشده است. برای رفع این مشکل کافی است IP خود را که در پایین این پیام درج شده از طریق آدرس ایمیل support@scipers.com به ما اطلاع دهید. پس از دریافت درخواست، کارشناسان فنی موضوع را بررسی می نمایند و در صورتی که محل اتصال شما از کشور ایران بوده باشد، به لیست استفاده کنندگان مجاز افزوده می شوید.
IP: 54.174.51.80

اطلاعات استنادی

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

 

به اشتراک گذاری

این صفحه را با استفاده از انواع شبکه های اجتماعی با دوستان خود به اشتراک بگذارید.

خلاصه مقاله، نویسندگان و کلمات کلیدی

A Study Of Dielectrophoretically Aligned Gallium Nitride Nanowires In Metal Electrodes And Their Electrical Properties


مقاله: مطالعه dielectrophoretically تراز وسط قرار دارد گالیم نیترید نانوسیم در الکترودهای فلزی و خواص الکتریکی آنها

نويسند‌گان:


خلاصه مقاله:


We quantitatively characterized the ac dielectrophoresis force on semiconducting gallium nitride (GaN) nanowires in suspension with variations of the ac electric field and frequency. The yield of aligned GaN nanowires increased with increasing ac electric field (up to 20 Vp–p). The yield results indicate that the GaN nanowires were well aligned with a high yield of ∼80% over the entire array in a chip at the frequencies of 10 kHz and 20 MHz. In addition, the electrical properties of GaN nanowires prepared by dielectrophoresis were investigated using conventional three-probe schemes in field-effect transistor structures.



موضوعات:

,



[ ]

فهرست مقالات مرتبط و مشابه

  1. Li, J.y. , Chen, X.l. , Qiao, Z.y. , Cao, Y.g. , He, M. , Xu, T. (2000) 'Synthesis of aligned gallium nitride nanowire quasi-arrays', Appl Phys A, Springer Science + Business Media, pp:349-350
  2. , (2007) 'Simple model for dielectrophoretic alignment of gallium nitride nanowires', J. Vac. Sci. Technol. B, American Vacuum Society, pp:120-0
  3. , (2014) 'Effect of the electric field on the mechanical properties of gallium nitride nanowires', EPL, IOP Publishing, pp:28004-0
  4. Lee, S.-y. , Kim, T.-h. , Suh, D.-i. , Suh, E.-k. , Cho, N.-k. , Seong, W.-k. , Lee, S.-k. (2007) 'Dielectrophoretically aligned GaN nanowire rectifiers', Appl. Phys. A, Springer Science + Business Media, pp:739-742
  5. , (2006) 'Dielectrophoretic alignment of gallium nitride nanowires (GaN NWs) for use in device applications', Nanotechnology, IOP Publishing, pp:3394-3399
  6. Sunkara, Mahendra K., Makkena, Rahul, Li, Hongwei, Alphenaar, Bruce (2006) 'Direction Dependent Electrical and Optical Properties of Gallium Nitride Nanowires', ECS Transactions, The Electrochemical Society, pp:0-0
  7. Seung-Yong Lee, , Ahmad Umar, , Duk-Il Suh, , Ji-Eun Park, , Yoon-Bong Hanh, , Sang-Kwon Lee, (2006) 'Electrical characteristics of AC dielectrophoretically aligned ZnO nanowires', 2006 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0
  8. Zhang, Jin, Wang, Chengyuan (2015) 'Erratum: Effect of the electric field on the mechanical properties of gallium nitride nanowires', EPL (Europhysics Letters), IOP Publishing, pp:39901-0
  9. , (2004) 'First-principle study on electronic properties of gallium nitride and aluminium nitride nanowires', physica status solidi (b), Wiley-Blackwell, pp:2806-2810
  10. , (2006) 'Fabrication and characterization of pre-aligned gallium nitride nanowire field-effect transistors', Nanotechnology, IOP Publishing, pp:1264-1271

 

برگشت به بالا
× 🎁 تخفیف ویژه تابستان ☀️
رونمایی از اولین و تنها ربات تلگرامی جستجوی مقالات ژورنالی
×