سایپرز، باشگاه دانش - ارائه دهنده مقالات ژورنالهای خارجی

اطلاعات و مشخصات مقاله

[ 1 | جستجو | فهرست کلمات کلیدی | فهرست موضوعات | فهرست نویسندگان | فهرست ناشران | فهرست ژورنالها ]


عنوان مقاله:تخریب دو مرحله گرم حامل ناشی از ترانزیستور LDMOS نوع P
ناشر: [ Institution Of Engineering And Technology (IET) ]
ژورنال
دوره (شماره):50 (23)
سال انتشار:November 2014
شماره صفحات: 175117531751-1753
نشانگر دیجیتالی شیء:[ 10.1049/el.2014.2901 ]
شما اینجا هستید:
  1. Scipers, the Knowledge ClubScipers »
  2. Institution Of Engineering And Technology (IET) »
  3. Electronics Letters »
  4. Two-stage hot-carrier-induced degradation of p-type LDMOS transistors

دسترسی بین المللی

اگر شما در داخل کشور (ایران) هستید و این صفحه را مشاهده می کنید، نشان می دهد که IP شما به هر دلیلی در لیست IP های ایران ثبت نشده است. برای رفع این مشکل کافی است IP خود را که در پایین این پیام درج شده از طریق آدرس ایمیل support@scipers.com به ما اطلاع دهید. پس از دریافت درخواست، کارشناسان فنی موضوع را بررسی می نمایند و در صورتی که محل اتصال شما از کشور ایران بوده باشد، به لیست استفاده کنندگان مجاز افزوده می شوید.
IP: 3.228.21.186

اطلاعات استنادی

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

 

به اشتراک گذاری

این صفحه را با استفاده از انواع شبکه های اجتماعی با دوستان خود به اشتراک بگذارید.

خلاصه مقاله، نویسندگان و کلمات کلیدی

Two-stage Hot-carrier-induced Degradation Of P-type LDMOS Transistors


مقاله: تخریب دو مرحله گرم حامل ناشی از ترانزیستور LDMOS نوع p

نويسند‌گان:


موضوعات:

Electrical and Electronic Engineering



[ ]

فهرست مقالات مرتبط و مشابه

  1. Chen, J.F., Tian, K.-S., Chen, S.-Y., Lee, J.R., Wu, K.-M., Huang, T.-Y., Liu, C.M. (2008) 'Gate current dependent hot-carrier-induced degradation in LDMOS transistors', Electron. Lett., Institution of Engineering and Technology (IET), pp:991-0
  2. Chen, Shiang-Yu, Chen, Jone F., Wu, Kuo-Ming, Lee, J. R., Liu, C. M., Hsu, S. L. (2007) 'Anomalous Hot-Carrier-Induced On-Resistance Degradation in High-Voltage LDMOS Transistors', Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, pp:0-0
  3. Tian, Kuen-Shiuan, Chen, Jone F., Wang, Wei-Chieh, Chen, Shiang-Yu, Wu, Kuo-Ming, Lee, J. R., Liu, C. M., Hsu, S. L. (2007) 'Mechanism and Reliability Index of Hot-Carrier Degradation in LDMOS Transistors', Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, pp:0-0
  4. Tian, K. S., Chen, J. F., Chen, S. Y., Lee, J. R., Wu, K. M., Liu, C. M. (2008) 'Effect of Hot-Carrier-Induced Hole Trapping on n-Type LDMOS Transistors', Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, pp:0-0
  5. Moens, P., Mertens, J., Bauwens, F., Joris, P., De Ceuninck, W., Tack, M. (2007) 'A Comprehensive Model for Hot Carrier Degradation in LDMOS Transistors', 2007 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 45th Annual, IEEE, pp:0-0
  6. Huixiong Zheng, , Huaqiang Wu, , Bin Wang, (2014) 'Investigation on Hot-Carrier-Induced degradation of LDMOS transistor fabricated in logic CMOS process', 2014 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0
  7. , (2013) 'TCAD Simulation of Hot-Carrier and Thermal Degradation in STI-LDMOS Transistors', IEEE Trans. Electron Devices, Institute of Electrical & Electronics Engineers (IEEE), pp:691-698
  8. Liu, Siyang, Qian, Qinsong, Wan, Weijun, Huang, Tingting, Sun, Weifeng (2012) 'Hot-carrier degradation mechanism for p-type symmetric LDMOS transistor with thick gate oxide', Electronics Letters, Institution of Engineering and Technology (IET), pp:1545-1546
  9. Enichlmair, H., Park, J. M., Carniello, S., Loeffler, B., Minixhofer, R., Levy, M. (2009) 'Hot carrier stress degradation modes in p-type high voltage LDMOS transistors', 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp:0-0
  10. , (2008) 'On-Resistance Degradation Induced by Hot-Carrier Injection in LDMOS Transistors With STI in the Drift Region', IEEE Electron Device Lett., Institute of Electrical & Electronics Engineers (IEEE), pp:1071-1073

 

برگشت به بالا
× 🎁 تخفیف ویژه ترم پاییز 🍂
رونمایی از اولین و تنها ربات تلگرامی جستجوی مقالات ژورنالی
×